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存储芯片“超级周期”
据《韩国经济日报》，、SK 海力士等主要供应链已通知客户，将在 2025 年第四季度把 DRAM 和 NAND 闪存的价格上调最多 30%。
三星、SK 海力士以顺应 AI 驱动的需求激增，且此涨幅略高于预期 ——9 月三星计划 DRAM 涨 15%-30%、NAND 涨 5%-10%，而当前、摩根士丹利预测第四季度 DRAM 均价涨 25%-26%，环比超 10%。
市场共识下，存储芯片加速迈入 “超级周期”。威刚董事长称第四季度是存储缺货起点，明年供货仍紧，这也引发国际电子和服务器公司囤货，并与三星、SK 海力士洽谈 2-3 年长期供应协议，打破以往短约传统。
此轮 “超级周期” 源于 AI 和高性能计算需求爆发。美光高管指出 HBM 需求激增推动 DRAM 涨价，其晶圆消耗是标准 DRAM 三倍多；摩根士丹利预测今年、亚马逊等科技巨头 AI 基建投入达 4000 亿美元。为此，三星加速研发 HBM4 并计划近期发布、年底量产，佰维存储也推进封测项目及产能扩建。
价格方面，TrendForce 预测 2025 年 HBM 均价同比涨 20.8% 至 1.80 美元 / Gb，机构预计明年 12 层 HBM4 单价达 500 美元，比同规格 HBM3e 高 60% 以上。且 AI 投资转向推理后，DRAM 需求或进一步增长，韩国 KB 证券预计明年非 HBM 内存盈利能力可能超 HBM。
展望未来，上海证券看好本轮存储大周期，认为 AI 需求及海外原厂产能限制将使 2025 年第四季度存储涨价持续；华邦电董事长则持保守态度，指出当前 DRAM 供需不平衡，或存在实际需求不及预期情况，但目前仍供不应求致价格狂飙。
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